-
تضعیف کننده ثابت کواکسیال
تضعیفکننده کواکسیال وسیلهای است که برای کاهش قدرت سیگنال در خط انتقال کواکسیال استفاده میشود. این وسیله معمولاً در سیستمهای الکترونیکی و ارتباطی برای کنترل قدرت سیگنال، جلوگیری از اعوجاج سیگنال و محافظت از اجزای حساس در برابر قدرت بیش از حد استفاده میشود.
تضعیفکنندههای کواکسیال عموماً از کانکتورها (معمولاً با استفاده از SMA، N، 4.30-10، DIN و غیره)، تراشههای تضعیف یا چیپستها (که میتوان آنها را به نوع فلنجی تقسیم کرد: معمولاً برای استفاده در باندهای فرکانسی پایینتر انتخاب میشوند، نوع چرخشی میتواند به فرکانسهای بالاتر دست یابد) و هیت سینک (به دلیل استفاده از چیپستهای تضعیف توان مختلف، گرمای ساطع شده نمیتواند به خودی خود دفع شود، بنابراین باید یک ناحیه اتلاف گرمای بزرگتر به چیپست اضافه کنیم).استفاده از مواد دفع حرارت بهتر میتواند باعث شود که میراگر پایدارتر عمل کند.)
طراحی سفارشی بنا به درخواست موجود است.
-
تضعیف کننده متغیر A5 RF، تضعیف کننده RF DC-26.5GHz
مشخصات مدل فرکانس برد تضعیف و VSWR افت ورودی تحمل تضعیف گیگاهرتز گام (حداکثر) دسیبل (حداکثر) دسیبل RKTX2-1-9-8.0-A5 DC-8.0 0-9dB 1.4 0.8 ±0.6 RKTX2-1-9-12.4-A5 DC-12.4 1dB گام 1.5 1 ±0.8 RKTX2-1-9-18.0-A5 DC-18.0 1.6 1.2 ±1.0 RKTX2-1-9-26.5-A5 DC-26.5 1.75 1.8 ±1.0 RKTX2-1-90-8.0-A5 DC-8.0 0-90dB 1.4 1 ±1.5(10-60dB) RKTX2-1-90-12.4-A5 DC-12.4 10dB مرحله 1.5 1.2 ± 2.5 یا 3.5% (70-90dB) RKTX2-1-90-18.0-A5 DC-18.0 1.6 1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-1.0-2.5 RKTX1 0-9dB 1.4 ... -
تضعیف کننده متغیر A2 RF، تضعیف کننده RF DC-6.0GHz
مشخصات مدل فرکانس برد تضعیف VSWR افت ورودی تحمل تضعیف گیگاهرتز و گام (حداکثر) دسیبل (حداکثر) دسیبل SMA N RKTXX-2-11-2.5-A2 DC-2.5 0-11dB 1.3 1.45 1 ±0.2<1dB,±0.4≥1dB RKTXX-2-11-3.0-A2 DC-3.0 گام 0.1dB 1.35 1.45 1.2 ±0.3<1dB,±0.5≥1dB RKTXX-2-11-4.3-A2 DC-4.3 1.4 1.55 1.5 RKTXX-2-11-6.0-A2 DC-6.0 1.55 1.6 1.8 RKTXX-2-50-2.5-A2 DC-2.5 0-50dB 1.3 1.35 1 ± 0.5 (≤10dB) 1dB گام ±3% (≤50dB) RKTXX-2-70-2.5-A2 0.5 ± 2.5 DC-2.5 ±0.5 (≤10dB) RKTXX-2-70-... -
تضعیفکننده میکرواستریپ RFTXX-30TA1432-10 با غلاف، تضعیفکننده RF DC~10.0 GHz
مدل RFTXX-30TA1432-10 (XX=مقدار تضعیف) محدوده مقاومت ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~10.0 گیگاهرتز توان ۳۰ وات تضعیف (دسی بل) ۰۱-۱۰/۱۱-۲۰/۲۱-۳۰/۴۰،۵۰،۶۰ تحمل تضعیف (دسی بل) ±۰.۵/±۰.۶/±۱.۰/±۱.۲ VSWR نوع ۱.۲۵ حداکثر ۱.۳ ضریب دمایی <150ppm/℃ جنس زیرلایه BeO جنس روکش Al (اکسیداسیون رسانا) فرآیند مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۲۵ درجه سانتیگراد (به ردهبندی تضعیف توان مراجعه کنید) مطابق با ROHS بله طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) ... -
تضعیفکننده میکرواستریپ RFTXX-20TA1419-10 با غلاف، تضعیفکننده RF DC~10.0 GHz
مدل RFTXX-20TA1419-10 (XX=مقدار تضعیف) محدوده مقاومت ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~10.0 گیگاهرتز توان ۲۰ وات تضعیف (دسیبل) ۰۱-۱۰/۱۱-۲۰/۲۱-۳۰/۴۰、۵۰ تلرانس تضعیف (دسیبل) ±۰.۵/±۰.۶/±۱.۰/±۱.۲ VSWR نوع ۱.۲۵ حداکثر ۱.۳ ضریب دمایی <۱۵۰ppm/℃ جنس زیرلایه BeO جنس روکش Al (اکسیداسیون رسانا) فرآیند مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۲۵ درجه سانتیگراد (به ردهبندی تضعیف توان مراجعه کنید) مطابق با ROHS بله طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) ... -
تضعیف کننده میکرواستریپ RFTXX-30MA1132-10، تضعیف کننده RF با فرکانس DC~18GHz
شماره مدل RFTXX-30MA1132-18 (XX= مقدار تضعیف) مقاومت اسمی ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~18GHz توان نامی ۳۰ وات تضعیف ۰۱-۱۰dB/11-20dB/21-30dB تلرانس تضعیف ±۰.۵dB/±۰.۶dB/±۱.۰dB VSWR نوع ۱.۲۵ حداکثر ۱.۳۰ ضریب دما <۱۵۰ppm/℃ جنس بستر BeO فرآیند مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰°C (نمودار مرجع کاهش توان) طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) توجه: ۱. در صورت نیاز مشتری، میتوانیم ... -
تضعیف کننده میکرواستریپ RFTXX-20MA5422-18، تضعیف کننده RF با فرکانس DC~18GHz
شماره مدل RFTXX-20MA5422-18 (XX= مقدار تضعیف) مقاومت اسمی 50 اهم محدوده فرکانس DC~18GHz توان نامی 20 وات تضعیف 01-10dB/11-20dB/21-30dB/35،40،50،60dB تحمل تضعیف ±0.5dB/±0.6dB/±1.0dB/±1.5dB VSWR 1.25 نوع 1.3 حداکثر ضریب دما <150ppm/℃ جنس بستر BeO فرآیند مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -55 تا +150 درجه سانتیگراد (نمودار کاهش توان مرجع) طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) توجه: 1. در صورت نیاز مشتری،... -
تضعیف کننده میکرواستریپ RFTXX-10MA5410-18، تضعیف کننده RF با فرکانس DC~18GHz
شماره مدل RFTXX-10MA5410-18 (XX = مقدار تضعیف) مقاومت اسمی 50 اهم محدوده فرکانس DC ~ 18GHz توان نامی 10 وات تضعیف 01-10dB/11-20dB/21-30dB تحمل تضعیف ±0.5dB/±0.6dB/±1.0dB VSWR نوع 1.25 حداکثر 1.3 ضریب دما <150ppm/℃ جنس بستر BeO فرآیند مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -55 تا +150 درجه سانتیگراد (نمودار مرجع کاهش توان) طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) توجه: 1. در صورت نیاز مشتری، میتوانیم... -
تضعیف کننده کواکسیال ثابت RFTXX-50RA3810-N-18، تضعیف کننده RF DC~18.0GHz
مدل RFTXX-50RA3810-N-18 (XX=مقدار تضعیفکننده) محدوده فرکانس DC~18.0GHz VSWR 1.40Max توان 50 وات امپدانس 50 اهم تضعیف 3،6،10،20،30،40dB تحمل تضعیف -1.5dB/+2.5dB کانکتور NJ(M)/NK(F) ابعاد Φ38×136.5mm دمای عملیاتی -55 ~ +125°C (به کاهش توان مراجعه کنید) وزن حدود 220 گرم مطابق با ROHS بله مشخصات جریان برگشتی کانکتور میتواند SMA، N MM یا FF باشد، یا هر دو میتوانند آزادانه با هم ترکیب و تطبیق داده شوند قوانین نامگذاری کاهش توان استفاده از توجه... -
تضعیف کننده کواکسیال ثابت RFTXX-50FA5070B-SMA-6، تضعیف کننده RF DC~6.0GHz
مدل RFTXX-50FA5070B-SMA-6 (XX=مقدار تضعیفکننده) محدوده فرکانس DC~6.0GHz VSWR حداکثر 1.20 وات امپدانس 50 اهم تضعیف 01-10dB/11-20dB/25、30、40dB/50、60dB تحمل تضعیف ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB/±1.2dB کانکتور SMA-J(M)/SMA-K(F) ابعاد 50.0×101.0×40.0 میلیمتر دمای عملیاتی -55 ~ +125°C (به ردهبندی توان مراجعه کنید) وزن حدود 300 گرم مطابق با ROHS بله مشخصات جریان برگشتی کانکتور میتواند DIN، 4.3-10 MM یا FF باشد، یا هر دو میتوانند آزادانه با هم ترکیب شوند و... -
تضعیف کننده کواکسیال ثابت RFTXX-50FA5070-N-6، تضعیف کننده RF DC~6.0GHz
مدل RFTXX-50FA5070-N-6 (XX=مقدار تضعیفکننده) محدوده فرکانس DC~6.0GHz VSWR حداکثر 1.20 وات امپدانس 50 اهم تضعیف 01-10dB/11-20dB/21-40dB/50、60dB تحمل تضعیف ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB/±1.2dB کانکتور NJ(M)/NK(F) ابعاد 50.0×109.4×40.0 میلیمتر دمای عملیاتی -55 ~ +125°C (به کاهش توان مراجعه کنید) وزن حدود 180 گرم مطابق با ROHS بله مشخصات جریان برگشتی کانکتور میتواند N MM یا FF باشد قوانین نامگذاری کاهش توان توجه داشته باشید 1، ابعاد T... -
تضعیف کننده فلنج دار RFTXX-60AM1363C-3 تضعیف کننده RF با فرکانس DC~3.0GHz
مدل RFTXX-60AM1363C-3 (XX=مقدار تضعیف) امپدانس ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~3.0GHz VSWR حداکثر ۱.۲۵ توان نامی ۶۰ وات مقدار تضعیف (دسی بل) ۰۱،۰۲،۰۳،۰۴،۰۸/۱۶/۲۰ تلرانس تضعیف (دسی بل) ±۰.۶/±۰.۸/±۱.۰ ضریب دمایی <۱۵۰ppm/℃ جنس زیرلایه BeO جنس بدنه چینی Al2O3 فلنج مس با روکش نیکل سرب ۹۹.۹۹٪ نقره استرلینگ فناوری مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتیگراد (به کاهش توان مراجعه کنید) طرح کلی (بدون...
