-
سربندی فلنجی
ترمینالهای فلنجدار در انتهای مدار نصب میشوند که سیگنالهای منتقلشده در مدار را جذب کرده و از انعکاس سیگنال جلوگیری میکنند و در نتیجه بر کیفیت انتقال سیستم مدار تأثیر میگذارند. ترمینال فلنجدار با جوشکاری یک مقاومت ترمینال سربی تکی با فلنجها و وصلهها مونتاژ میشود. اندازه فلنج معمولاً بر اساس ترکیبی از سوراخهای نصب و ابعاد مقاومت ترمینال طراحی میشود. همچنین میتوان سفارشیسازی را با توجه به نیازهای استفاده مشتری انجام داد.
-
تضعیف کننده RF سربی RFTXXN-100AJ8957-3 با فرکانس DC~3.0GHz
مدل RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=مقدار تضعیف) امپدانس ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~3.0GHz VSWR حداکثر ۱.۲۰ توان نامی ۱۰۰ وات مقدار تضعیف ۱۳،۲۰،۳۰ دسیبل تلرانس تضعیف ±۱.۰ دسیبل ضریب دمایی <150ppm/℃ جنس زیرلایه جنس کلاهک چینی AlN جنس متوسط سرب ۹۹.۹۹٪ نقره استرلینگ فناوری مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتیگراد (به رتبهبندی تضعیف توان مراجعه کنید) طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) طول سرب را میتوان مطابق با ... سفارشی کرد. -
تضعیف کننده میکرواستریپ
تضعیفکننده میکرواستریپ وسیلهای است که در تضعیف سیگنال در باند فرکانسی مایکروویو نقش دارد. تبدیل آن به یک تضعیفکننده ثابت به طور گسترده در زمینههایی مانند ارتباطات مایکروویو، سیستمهای رادار، ارتباطات ماهوارهای و غیره استفاده میشود و عملکرد تضعیف سیگنال قابل کنترلی را برای مدارها فراهم میکند. تراشههای تضعیفکننده میکرواستریپ، برخلاف تراشههای تضعیف وصلهای رایج، برای دستیابی به تضعیف سیگنال از ورودی به خروجی، باید با استفاده از اتصال کواکسیال در یک هود هوا با اندازه خاص مونتاژ شوند.
طراحی سفارشی بنا به درخواست موجود است.
-
تضعیف کننده RF با سرپیچ RFT20N-60AM6363-6، DC~6.0GHz
مدل RFT20N-60AM6363-6 (XX=مقدار تضعیف) امپدانس ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~6.0GHz VSWR حداکثر ۱.۲۵ توان نامی ۶۰ وات مقدار تضعیف ۲۰dB تلرانس تضعیف ±۰.۸ dB ضریب دمایی <150ppm/℃ جنس زیرلایه جنس چینی AlN جنس کلاه Al2O3 سرب ۹۹.۹۹٪ نقره استرلینگ فناوری مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتیگراد (به ضریب تضعیف توان مراجعه کنید) طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) طول سرب را میتوان با توجه به مشتری سفارشی کرد... -
تضعیف کننده RF سربی RFTXX-60AM6363B-3 با فرکانس DC~3.0GHz
مدل RFTXX-60AM6363B-3 (XX=مقدار تضعیف) امپدانس ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~3.0GHz VSWR حداکثر ۱.۲۵ توان نامی ۶۰ وات مقدار تضعیف ۰۱-۱۰dB/16dB/20dB تلرانس تضعیف ±۰.۶dB/±۰.۸dB/±۱.۰dB ضریب دمایی <۱۵۰ppm/℃ جنس زیرلایه BeO جنس کلاهک چینی Al2O3 سرب ۹۹.۹۹٪ نقره استرلینگ فناوری مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتیگراد (به رتبهبندی تضعیف توان مراجعه کنید) طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) طول سرب را میتوان به دلخواه تنظیم کرد... -
تضعیف کننده RF با سرپیچ DC~3.0GHz مدل RFTXXA-05AM0404-3
مدل RFTXXA-05AM0404-3 (XX=مقدار تضعیف) امپدانس ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~3.0GHz VSWR حداکثر ۱.۲۰ توان نامی ۵ وات مقدار تضعیف (دسی بل) ۰۱-۱۰/۱۵، ۱۷، ۲۰/۲۵،۳۰ تلرانس تضعیف (دسی بل) ±۰.۶/±۰.۸/±۱.۰ ضریب دمایی <۱۵۰ppm/℃ جنس زیرلایه Al2O3 جنس کلاهک چینی Al2O3 سرب ۹۹.۹۹٪ نقره استرلینگ فناوری مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتیگراد (به رتبهبندی تضعیف توان مراجعه کنید) طرح کلی (واحد: میلیمتر/اینچ) طول سرب ... -
سیرکولاتور میکرواستریپ
سیرکولاتور میکرواستریپ یک دستگاه مایکروویو RF رایج است که برای انتقال و ایزولاسیون سیگنال در مدارها استفاده میشود. این دستگاه از فناوری لایه نازک برای ایجاد مدار روی یک فریت مغناطیسی چرخان استفاده میکند و سپس یک میدان مغناطیسی برای دستیابی به آن اضافه میکند. نصب دستگاههای حلقوی میکرواستریپ عموماً از روش لحیم کاری دستی یا اتصال سیم طلا با نوارهای مسی استفاده میکند. ساختار سیرکولاتورهای میکرواستریپ در مقایسه با سیرکولاتورهای کواکسیال و توکار بسیار ساده است. بارزترین تفاوت این است که هیچ حفرهای وجود ندارد و هادی سیرکولاتور میکرواستریپ با استفاده از یک فرآیند لایه نازک (کندوپاش خلاء) برای ایجاد الگوی طراحی شده روی فریت چرخان ساخته میشود. پس از آبکاری الکتریکی، هادی تولید شده به زیرلایه فریت چرخان متصل میشود. یک لایه از محیط عایق را در بالای نمودار بچسبانید و یک میدان مغناطیسی را روی محیط ثابت کنید. با چنین ساختار سادهای، یک سیرکولاتور میکرواستریپ ساخته شده است.
محدوده فرکانسی ۲.۷ تا ۴۰ گیگاهرتز
کاربردهای نظامی، فضایی و تجاری.
تلفات ورودی کم، ایزولاسیون بالا، قابلیت انتقال توان بالا.
طراحی سفارشی بنا به درخواست موجود است.
-
پخش کننده پهنای باند
پخشکننده پهنای باند یک جزء مهم در سیستمهای ارتباطی RF است که مجموعهای از مزایا را ارائه میدهد که آن را برای کاربردهای مختلف بسیار مناسب میکند. این پخشکنندهها پوشش پهنای باند را فراهم میکنند و عملکرد مؤثر را در یک محدوده فرکانسی وسیع تضمین میکنند. با توانایی خود در ایزوله کردن سیگنالها، میتوانند از تداخل سیگنالهای خارج از باند جلوگیری کرده و یکپارچگی سیگنالهای داخل باند را حفظ کنند. یکی از مزایای اصلی پخشکنندههای پهنای باند، عملکرد ایزولاسیون عالی بالای آنهاست. در عین حال، این دستگاههای حلقهای شکل دارای ویژگیهای موج ایستاده پورت خوبی هستند که سیگنالهای منعکس شده را کاهش داده و انتقال سیگنال پایدار را حفظ میکنند.
محدوده فرکانس ۵۶ مگاهرتز تا ۴۰ گیگاهرتز، وزن مخصوص تا ۱۳.۵ گیگاهرتز.
کاربردهای نظامی، فضایی و تجاری.
تلفات ورودی کم، ایزولاسیون بالا، قابلیت انتقال توان بالا.
طراحی سفارشی بنا به درخواست موجود است.
-
تضعیف کننده تراشه RFTXX-60CA6363B-3، تضعیف کننده RF با فرکانس DC~3.0GHz
مدل RFTXX-60CA6363B-3 (XX= مقدار تضعیف) محدوده مقاومت ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~3.0GHz VSWR حداکثر ۱.۲۵ توان ۶۰ وات مقدار تضعیف (دسی بل) ۰۱-۱۰dB/۱۱-۲۰dB/۲۱-۳۰dB تلرانس تضعیف (دسی بل) ±۰.۶dB/±۰.۸dB/±۱.۰dB ضریب دمایی <۱۵۰ppm/℃ جنس زیرلایه BeO فناوری مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰°C (به ردهبندی کاهش توان مراجعه کنید) روش نصب ردهبندی کاهش توان نمودار زمان لحیمکاری و دمای جریان مجدد P/N نامگذاری ... -
تضعیف کننده تراشه RFTXXN-20CA5025C-3، تضعیف کننده RF با فرکانس DC~3.0GHz
مدل RFTXXN-20CA5025C-3 (XX= مقدار تضعیف) محدوده مقاومت ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~3.0GHz VSWR حداکثر ۱.۲۵ توان ۲۰ وات مقدار تضعیف (dB) ۰۱-۱۰dB/۱۱-۲۰dB/۲۱-۳۰dB تلرانس تضعیف (dB) ±۰.۶dB/±۰.۸dB/±۱.۰dB ضریب دمایی <۱۵۰ppm/℃ جنس بستر فناوری مقاومت AlN لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰°C (به ردهبندی توان کاهشی مراجعه کنید) عملکرد معمول: نمودار ۲dB نمودار ۲۰dB نمودار ۶dB نمودار ۳۰dB روش نصب... -
تضعیف کننده تراشه RFTXXN-10CA5025C-6، تضعیف کننده RF با فرکانس DC~6.0GHz
مدل RFTXXN-10CA5025C-6 (XX= مقدار تضعیف) محدوده مقاومت ۵۰ اهم محدوده فرکانس DC~6.0GHz VSWR حداکثر ۱.۲۵ توان ۱۰ وات مقدار تضعیف (dB) ۰۱-۱۰dB/۱۱-۲۰dB تلرانس تضعیف (dB) ±۰.۶dB/±۰.۸dB ضریب دمایی <۱۵۰ppm/℃ جنس زیرلایه AlN فناوری مقاومت لایه ضخیم دمای عملیاتی -۵۵ تا +۱۵۰°C (به کاهش توان مراجعه کنید) عملکرد معمول: نمودار ۶dB نمودار ۲۰dB روش نصب کاهش توان زمان لحیم کاری جریان مجدد و ... -
مقاومت سربی RFTXX-250RM1313K مقاومت RF
مدل RFTXX-250RM1313K توان 250 وات مقاومت XX Ω~ (10-1000Ω قابل تنظیم) تلرانس مقاومت ±5% ظرفیت خازنی 2.0 PF@100Ω ضریب دمایی <150ppm/℃ زیرلایه BeO پوشش AL2O3 سرب مس آبکاری نقره عنصر مقاومتی لایه ضخیم دمای عملیاتی -55 تا +150 درجه سانتیگراد (به کاهش توان مراجعه کنید) روشهای نصب پیشنهادی کاهش توان مشخصات جریان مجدد P/N نامگذاری توجه ■ پس از اینکه دوره نگهداری قطعات تازه خریداری شده بیش از 6 ماه ...
