-
خاتمه فلنج
خاتمه فلنج در انتهای یک مدار نصب می شود ، که سیگنال های منتقل شده در مدار را جذب می کند و از بازتاب سیگنال جلوگیری می کند ، در نتیجه بر کیفیت انتقال سیستم مدار تأثیر می گذارد. ترمینال فلنج با جوشکاری یک مقاومت ترمینال سرب تنها با فلنج ها و تکه ها مونتاژ می شود. اندازه فلنج معمولاً بر اساس ترکیبی از سوراخ های نصب و ابعاد مقاومت ترمینال طراحی شده است. سفارشی سازی را می توان با توجه به نیازهای استفاده مشتری نیز انجام داد.
-
RFTXXN-100AJ8957-3 ATENUATOR DC ~ 3.0GHz RF attenuator
Model RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=Attenuation value) Impedance 50 Ω Frequency Range DC~3.0GHz VSWR 1.20 max Rated Power 100 W Attenuation Value 13、20、30dB Attenuation Tolerance ±1.0dB Temperature coefficient <150ppm/℃ Substrate Material AlN Porcelain Hat Material Medium Lead 99.99% Sterling Silver Resistance Technology Thick Film Operating Temperature -55 تا +150 درجه سانتیگراد (نگاه کنید -
ضعف ریز
MicroStrip Fateruator وسیله ای است که در کاهش میرایی سیگنال در باند فرکانس مایکروویو نقش دارد. تبدیل آن به یک ضعیف کننده ثابت به طور گسترده در زمینه هایی مانند ارتباطات مایکروویو ، سیستم های راداری ، ارتباطات ماهواره ای و غیره استفاده می شود ، و عملکرد میرایی سیگنال قابل کنترل برای مدارها را ارائه می دهد. میکرواستریپ تراشه های ضعیف کننده ، بر خلاف تراشه های ضعف پچ متداول ، نیاز به جمع آوری هود هوا با اندازه خاص با استفاده از اتصال Coaxial برای دستیابی به نتیجه گیری از دریافت سیگنال از نظر دریافتی است.
طراحی سفارشی در صورت درخواست موجود است.
-
RFT20N-60AM6363-6 LEDERATE ATTENUATER DC ~ 6.0GHz RF attenuator
مدل RFT20N-60AM6363-6 (xx = مقدار میرایی) امپدانس 50 Ω فرکانس دامنه DC 6.0GHz VSWR 1.25 حداکثر قدرت تا حد 60 W می خستگی 20db تحمل ضریب ضریب دمای 0.8 ضریب دمای دما <150pppm/℃ Substrate Material Sterate ledrly Porcentlain Porcent Platterlination Platterlination Porcentlain Porcentlain ledrlation ledrlation ledrlation ledrlation ledrlation el2o3 +150 درجه سانتیگراد (نگاه کنید به DE Power De-Rating) طرح کلی (واحد: میلی متر در اینچ) طول سرب را می توان با توجه به حضانت سفارشی کرد ... -
RFTXX-60AM6363B-3 ATENUATOR DC ~ 3.0GHz RF attenuator
مدل RFTXX-60AM6363B-3 (xx = مقدار میرایی) امپدانس 50 Ω دامنه فرکانس DC ~ 3.0GHz VSWR 1.25 حداکثر قدرت 60 WIREDOUTION 01-10DB/16DB/20DB تحمل ضعف ± 0.6db/± 0.8db/± 1.0DB TEL مواد AL2O3 سرب 99.99 ٪ فن آوری مقاومت به نقره استرلینگ فیلم ضخیم فیلم عملکرد دمای 55 تا +150 درجه سانتیگراد (نگاه کنید -
RFTXXA-05AM0404-3 ATENUATOR DC ~ 3.0GHz RF attenuator
مدل rftxxa-05AM0404-3 (xx = مقدار میرایی) امپدانس 50 Ω دامنه فرکانس DC ~ 3.0GHz VSWR 1.20 حداکثر قدرت امتیاز 5 W مقدار ضعف (DB) 01-10/15 ، 17 ، 20/25 ，30 تحمل ضعف (DB) ± 0.6/± 0.8/± 0.8/± 1.0 درجه حرارت مواد کلاه چینی AL2O3 سرب 99.99 ٪ فن آوری مقاومت نقره ای استرلینگ فیلم ضخیم دمای عملکرد دمای 55 تا +150 درجه سانتیگراد (نگاه کنید -
گردش دهنده ریز
MicroStrip Circulator یک دستگاه مایکروویو RF معمولاً استفاده می شود که برای انتقال سیگنال و جداسازی در مدارها استفاده می شود. از فناوری فیلم نازک برای ایجاد یک مدار در بالای فریت مغناطیسی چرخان استفاده می کند و سپس یک میدان مغناطیسی را برای دستیابی به آن اضافه می کند. نصب دستگاه های حلقوی ریزگرد به طور کلی روش لحیم کاری دستی یا اتصال سیم طلا را با نوارهای مس اتخاذ می کند. ساختار گردش کننده های ریزگرد ، در مقایسه با گردش دهنده های کواکسیال و تعبیه شده بسیار ساده است. بارزترین تفاوت این است که هیچ حفره ای وجود ندارد و هادی گردشگر ریزگرد با استفاده از یک فرآیند فیلم نازک (خلاء) برای ایجاد الگوی طراحی شده روی فریت دوار ساخته می شود. پس از آبکاری ، هادی تولید شده به بستر فریت دوار وصل می شود. یک لایه از محیط عایق را در بالای نمودار وصل کنید و یک میدان مغناطیسی را در محیط ثابت کنید. با چنین ساختار ساده ، یک گردشگر ریزگرد ساخته شده است.
دامنه فرکانس 2.7 تا 40 گیگاهرتز.
برنامه های نظامی ، فضا و تجاری.
از دست دادن کم درج ، انزوا بالا ، کنترل قدرت بالا.
طراحی سفارشی در صورت درخواست موجود است.
-
گردش دهنده پهنای باند
Broadband Circulator یک مؤلفه مهم در سیستم های ارتباطی RF است و مجموعه ای از مزایا را ارائه می دهد که آن را برای برنامه های مختلف بسیار مناسب می کند. این گردش دهنده ها پوشش باند پهن را ارائه می دهند و از عملکرد مؤثر در محدوده فرکانس گسترده اطمینان می دهند. با توانایی من در جداسازی سیگنال ها ، آنها می توانند از دخالت از سیگنال های باند جلوگیری کنند و یکپارچگی در سیگنال های باند را حفظ کنند. یکی از مزایای اصلی گردش باند پهن عملکرد عالی منزوی کردن عالی آنهاست. در عین حال ، این دستگاه های حلقه ای شکل دارای ویژگی های موج ایستاده درگاه خوبی هستند ، سیگنال های منعکس شده را کاهش می دهند و انتقال سیگنال پایدار را حفظ می کنند.
دامنه فرکانس 56 مگاهرتز تا 40 گیگاهرتز ، BW تا 13.5 گیگاهرتز.
برنامه های نظامی ، فضا و تجاری.
از دست دادن کم درج ، انزوا بالا ، کنترل قدرت بالا.
طراحی سفارشی در صورت درخواست موجود است.
-
RFTXX-60CA6363B-3 تراشه Attenuator DC ~ 3.0GHz RF attenuator
مدل RFTXX-60CA6363B-3 (xx = مقدار میرایی) دامنه مقاومت 50 Ω محدوده فرکانس DC ~ 3.0GHz VSWR 1.25 حداکثر قدرت 60 W مقدار ضعف (DB) 01-10DB/11-30DB/تحمل ضعف (DB) ± 0.6db/± 1.0db/± 1.0DB فن آوری مقاومت در برابر BEO فن آوری ضخیم فیلم ضخیم درجه حرارت -55 تا +150 درجه سانتیگراد (نگاه کنید -
RFTXXN-20CA5025C-3 تراشه ضعیف DC ~ 3.0GHz RF attenuator
مدل RFTXXN-20CA5025C-3 (xx = مقدار میرایی) دامنه مقاومت 50 Ω دامنه فرکانس DC ~ 3.0GHz VSWR 1.25 حداکثر قدرت 20 W مقدار میرایی (DB) 01-10DB/11-20DB/21-30DB تحمل ضعف (DB) ± 0.6db/± 1.0db/± 1.0db/± 0.8db/± 8db/± 0.8db/± 0.8db/± 0.8db/± 0.8db/± 0.8db/± 0.8db/± 0.8db/± 0.8db/± 0.8db/± 0.8db/± 8db مواد بستر مقاومت ALN فن آوری ضخیم فیلم ضخیم دمای 55 تا +150 درجه سانتیگراد (نگاه کنید -
RFTXXN-10CA5025C-6 تراشه Attenuator DC ~ 6.0GHz RF attenuator
مدل RFTXXN-10CA5025C-6 (xx = مقدار میرایی) دامنه مقاومت 50 Ω فرکانس دامنه DC 6.0GHz VSWR 1.25 حداکثر قدرت 10 W مقدار میرایی (DB) 01-10DB/11-20DB تحمل ضعف (DB) ± 0.6db/alepognision alepognisny alepognist -55 تا +150 درجه سانتیگراد (نگاه کنید به De Power De-Rating) عملکرد معمولی: 6DB نمودار 20DB روش نصب نمودار روش نصب برق دو رتبه بندی بازتاب زمان و ... -
مقاومت RFTXX-250RM1313K مقاومت RF مقاومت RF
Model RFTXX-250RM1313K Power 250 W Resistance XX Ω~ (10-1000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Capacitance 2.0 PF@100Ω Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Lead Copper silver plating Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating مشخصات P/N مشخصات P/N از توجه استفاده کنید ■ پس از دوره ذخیره سازی اجزای تازه خریداری شده بیش از 6 ماه ...
